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純進(jìn)口HQ graphene 硫化鎵晶體

簡(jiǎn)要描述:純度: 99.995%, 尺寸: 6-8mm

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間:2025-05-23
  • 訪  問(wèn)  量:141

產(chǎn)品名稱(chēng)

中文名稱(chēng): 純進(jìn)口HQ graphene 硫化鎵晶體

英文名稱(chēng):HQ graphene GaS Crystal

產(chǎn)品概述

GaS (β相)是一種間接帶隙為~2.6 eV的半導(dǎo)體。這些層通過(guò)范德華相互作用堆疊在一起,可以剝離成薄的二維層。α-GaS屬13族過(guò)渡后金屬單硫族化合物。在HQ石墨烯中制備的硫化鎵晶體具有典型的橫向尺寸為~0.6-0.8 cm。晶體呈黃色,透明。

GaS (beta phase) is a semiconductor with an indirect band gap of ~2.6 eV. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. α-GaS belongs to the group-13 post-transition metal monochalcogenides.

The Gallium sulfide crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.6-0.8 cm. The crystals are yellow colored and transparent.

技術(shù)參數(shù)

純度: 99.995%

尺寸:6-8mm

顏色: 淡黃色


產(chǎn)品特點(diǎn)

Electrical properties:Semiconductor

Crystal structure:Hexagonal

Unit cell parameters:a = 0.360, b = 0.360 nm, c = 1.553 nm, α = β = 90°, γ = 120°

Type:Synthetic


Purity:>99.995%

應(yīng)用領(lǐng)域

在半導(dǎo)體領(lǐng)域:

制造光電探測(cè)器:硫化鎵晶體對(duì)特定波長(zhǎng)的光具有良好的響應(yīng),可用于制造高性能的光電探測(cè)器。例如,在光纖通信系統(tǒng)中,硫化鎵晶體光電探測(cè)器可以將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào),實(shí)現(xiàn)高速、靈敏的光通信。

太陽(yáng)能電池:可作為太陽(yáng)能電池的吸收層材料。比如在薄膜太陽(yáng)能電池中,硫化鎵晶體有助于提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

在光學(xué)領(lǐng)域:

非線性光學(xué)器件:由于其非線性光學(xué)特性,可用于制造諸如倍頻器、混頻器等非線性光學(xué)器件。例如,在激光系統(tǒng)中,硫化鎵晶體可以實(shí)現(xiàn)激光頻率的轉(zhuǎn)換和調(diào)制。

發(fā)光二極管(LED):作為發(fā)光材料,用于制造高效的發(fā)光二極管。比如在某些特殊用途的 LED 中,硫化鎵晶體能發(fā)出特定波長(zhǎng)的光。

在傳感器領(lǐng)域:

氣體傳感器:對(duì)某些氣體具有敏感性,可用于檢測(cè)特定氣體的濃度。例如,用于檢測(cè)環(huán)境中的有害氣體,如硫化氫等。

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